硅光芯片制造技術(shù)走向成熟,硅光晶圓測(cè)試測(cè)量全新解決方案,產(chǎn)業(yè)發(fā)展迎來(lái)新契機(jī)發(fā)表時(shí)間:2025-08-20 17:36來(lái)源:官網(wǎng)/網(wǎng)絡(luò)信息 硅光芯片制造技術(shù)走向成熟,硅光晶圓測(cè)試測(cè)量全新解決方案,產(chǎn)業(yè)發(fā)展迎來(lái)新契機(jī)在 AI 技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下,AI 服務(wù)器對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速率的要求急劇攀升,而融合了硅芯片工藝流程與光電子高速率、高能效優(yōu)勢(shì)的硅光芯片,成為解決這一需求的關(guān)鍵所在。2025 年,從政策規(guī)劃到技術(shù)突破,再到產(chǎn)業(yè)化推進(jìn),多項(xiàng)進(jìn)展清晰地顯示出硅光芯片的制造工藝正逐步走向成熟。 政策層面為硅光芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入了強(qiáng)大動(dòng)力。國(guó)內(nèi)多個(gè)省份紛紛出臺(tái)相關(guān)政策支持硅光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。湖南省人民政府在《加快“世界光谷” 建設(shè)行動(dòng)計(jì)劃》中明確提出,到 2025 年完成 12 英寸基礎(chǔ)硅光流片工藝開(kāi)發(fā),形成國(guó)際領(lǐng)先的硅光晶圓代工和生產(chǎn)制造能力?!稄V東省加快推動(dòng)光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動(dòng)方案 (2024—2030 年)》也著重強(qiáng)調(diào),支持光芯片相關(guān)部件和工藝的研發(fā)及優(yōu)化,其中就包括硅光集成、異質(zhì)集成等光芯片相關(guān)制造工藝的研發(fā)和持續(xù)優(yōu)化,為產(chǎn)業(yè)發(fā)展指明了方向。 一、硅光芯片的技術(shù)創(chuàng)新 技術(shù)突破是硅光芯片制造工藝走向成熟的核心標(biāo)志。在技術(shù)創(chuàng)新方面,復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院張俊文研究員、遲楠教授與相關(guān)研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)展合作,提出基于多維光子復(fù)用的創(chuàng)新范式,成功實(shí)現(xiàn)了在時(shí)域、空域、頻域的多維并行信號(hào)傳輸?;诖?,團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)并研制出一款硅光集成高階模式復(fù)用器芯片,該芯片實(shí)現(xiàn)了每秒 38Tb 的數(shù)據(jù)傳輸速度,這意味著其可在 1 秒內(nèi)完成大模型 4.75 萬(wàn)億參數(shù)傳遞,極大地提升了數(shù)據(jù)傳輸效率。 國(guó)際企業(yè)在硅光芯片技術(shù)上的探索也成果顯著。英偉達(dá)在 2024 年 12 月的 IEDM 2024 上展示了與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)的硅光子原型。據(jù)臺(tái)積電介紹,該原型采用的 COUPE 技術(shù)使用 SoIC-X 芯片堆疊技術(shù),將電子裸片堆疊在光子裸片上,從而在 die-to-die(裸片與裸片)接口提供更低電阻和更高能效,為硅光芯片性能提升開(kāi)辟了新路徑。 同時(shí),硅光芯片制造中的關(guān)鍵難題—— 對(duì)準(zhǔn)瓶頸也得到了有效突破。傳統(tǒng)單通道對(duì)準(zhǔn)效率低下,而新型快速多通道光子對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(FMPA)通過(guò)固件驅(qū)動(dòng)的并行對(duì)準(zhǔn)技術(shù),實(shí)現(xiàn) 6 自由度同步優(yōu)化,將對(duì)準(zhǔn)時(shí)間從數(shù)十秒大幅縮短至 250-400 毫秒,且精度達(dá)到納米級(jí),這一突破成功解決了硅光子晶圓級(jí)測(cè)試與封裝的規(guī)?;y題。目前,該技術(shù)已集成至 Cascade Microtech 等廠商的探針臺(tái),有力推動(dòng)了硅光子從實(shí)驗(yàn)室走向量產(chǎn)。 二、硅光測(cè)試技術(shù)和設(shè)備 在硅光芯片制造技術(shù)逐步成熟的進(jìn)程中,測(cè)試技術(shù)與設(shè)備發(fā)揮著舉足輕重的作用,它們是保障芯片性能與質(zhì)量、推動(dòng)產(chǎn)業(yè)從實(shí)驗(yàn)室走向大規(guī)模商用的關(guān)鍵支撐。 1,國(guó)內(nèi)進(jìn)展 從國(guó)內(nèi)來(lái)看,諸多企業(yè)和機(jī)構(gòu)在硅光芯片測(cè)試領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展。
2,國(guó)際進(jìn)展 在國(guó)際舞臺(tái)上,眾多企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)在硅光芯片測(cè)試技術(shù)與設(shè)備領(lǐng)域各展所長(zhǎng),推動(dòng)著行業(yè)的進(jìn)步。
全自動(dòng)集成硅光探測(cè)系統(tǒng)-CM300xi-SiPH
總體而言,硅光芯片測(cè)試技術(shù)與設(shè)備正朝著高精度、高速度、自動(dòng)化以及標(biāo)準(zhǔn)化的方向發(fā)展 。隨著技術(shù)的不斷創(chuàng)新,從高精度測(cè)試儀器到自動(dòng)化測(cè)試平臺(tái),從針對(duì)特定芯片的性能測(cè)試到涵蓋全流程的工藝解決方案,這些測(cè)試手段將在保障硅光芯片性能、加速產(chǎn)品迭代以及推動(dòng)產(chǎn)業(yè)規(guī)?;l(fā)展等方面持續(xù)發(fā)揮關(guān)鍵作用 。不過(guò),當(dāng)前測(cè)試領(lǐng)域仍面臨著測(cè)試成本較高、部分測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)不統(tǒng)一等挑戰(zhàn),需要產(chǎn)業(yè)界和科研機(jī)構(gòu)進(jìn)一步探索解決方案,以推動(dòng)硅光芯片產(chǎn)業(yè)更高效、健康地發(fā)展 。 三、硅光應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化 在產(chǎn)業(yè)化方面,國(guó)內(nèi)企業(yè)同樣取得了令人矚目的進(jìn)展。中國(guó)信科發(fā)起成立的國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心聯(lián)合開(kāi)發(fā)的 12 英寸硅光工藝線預(yù)計(jì)今年底正式建成,該工藝可支持 40 納米小尺寸硅光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)制造,這將大幅降低開(kāi)發(fā)驗(yàn)證周期,保障大規(guī)模芯片交付,實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)芯片從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)的完全國(guó)產(chǎn)化。群發(fā)光芯也在 4 月 27 日召開(kāi)了 OPA 中試線投產(chǎn)及產(chǎn)品發(fā)布會(huì),其 OPA 中試線以低損耗厚膜氮化硅制造工藝為核心,能夠助力多種類型硅光器件加工。建成的六英寸硅光生產(chǎn)線具備光刻、刻蝕、成膜等全工藝流程能力,形成了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高端硅光芯片工藝解決方案。 總之,硅光芯片制造技術(shù)在政策支持、工藝開(kāi)發(fā)、傳輸速率、芯片堆疊、測(cè)試技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化等多方面均取得了顯著進(jìn)展,正逐步走向成熟。不過(guò),該領(lǐng)域仍面臨一些挑戰(zhàn),如進(jìn)一步降低成本、提高良品率等。隨著技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)的不斷完善,硅光芯片有望在數(shù)據(jù)中心、人工智能、智能駕駛等領(lǐng)域得到更廣泛應(yīng)用,為相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。 內(nèi)容版權(quán)歸原作者所有,此處僅作分享學(xué)習(xí)使用,如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系本站刪除 |